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    高可靠性元器件禁限用工艺

    发布于:2015-6-28 20:00:54       阅读:    分类:行业动态

    因为高可靠元器件要承受境况严峻应力,且有恒久存储和职分请求,一般用于重点工程。所以逐渐变成了各异使用部门对电子元器件的禁用和限用机关、材料和工艺请求。十分值得关连人员眷注。


    一、禁用工艺

    1、禁用焊接点、键合点导电胶覆盖工艺。

    导电胶会变形,会产生很大应力,拉断键合丝;

    掩盖焊接、键合点缺陷,造成隐患。

    2、禁用纯锡、纯锌、纯铬材料。

    这些材料易成长晶须(无重力、真空状况尤甚),变成短路失效。锌、铬具有显著升华物理特征,变成金属膜,导致并联电阻,用意光学元件透光率。

    关于铅锡焊料题目,我们请求铅锡焊料(搜罗铅锡银焊料)中铅含量应大于3%,如许的状况下才不会长晶须。

    3、非刚性引线禁用电镀镍。

    电镀镍性脆,弯折应力会使镀镍层脱落。

    4、非密封元器件内表面禁用纯银材料。

    非密封元器件内表面采用纯银材料会变成银迁徙,银迁徙导致短路失效。

    银迁徙性强,有些部门内层银也驾御使用(特意是高温境况职分的长寿命元器件)

    5、禁用金铝、金锡直接接触机关。

    金铝之间生成金铝化合物,这种化合物性脆且高电阻率;“锡吃金”——金在锡中有较大的固溶度;

    关于“金脆”:当锡中含有金的量在(3% 至19%) 会有“金脆”事态发生。当外引线镀金厚度大于2.5μm时焊装工艺要采用镀锡工艺步调。

    6、无引线元器件(特意是陶瓷片式电容)禁用在无合理温度热平台的前提下进行二次手工焊接工艺。

    这种焊接会产生很大的热应力。

    案例2012年某所为xx院提供的产品批次性失效,后调查这种批次性失效就是由统一个焊盘采用了二次焊接组装工艺造成的。

    7、密封空腔元器件禁用干燥剂。

    干燥剂会掩盖有害众余物;变成有害众余物。

    8、禁用无表面钝化有源芯片。

    有源芯片在没有表面钝化的时候,表面会吸附有害物质,用意电参数的平定性。如漏电流、击穿电压。

    9、长储空腔密封元器件(电真空器件除外)禁用内腔真空机关。

    没有绝对的密封。“真空”意味着外部境况无法驾御的气解析参加内腔。特意是对长储武器配备。

    10、禁用封装后电镀工艺。

    封焊边缘微孔、盲孔吸附酸、碱等有害物质,变成腐化隐患。恒久职分后,会产生锈蚀、漏气失效。

    11、禁用长宽比不小于2的无引线表面安装陶瓷电容。(陶瓷层厚度小于20微米的陶瓷电容)。

    陶瓷电容是一片一片的,假如长宽比过于大的话,承受应力的手艺会很弱。我们经历过很众这种原因的失效。

    12、禁用玻璃粘接芯片和玻璃熔封。

    玻璃很脆,抗热和机械应力功效差。

    13、焊装后的电路板禁用超声清洗。

    焊装后的电路板里器件的间隔丝的固有频率有可能与超声的频率相近,从而产生共振,引起器件内线断裂。这是航天X院真实发生的例子。

    二、限用工艺

    1、元器件修筑进程限用超声清洗工艺。

    国内外大量实习注解:不恰当的超声清洗会诱发或扩展被洗部件的微缺陷,特意是在维系面上。

    请求:给出超声清洗工艺前提(如频率、功率、时间等)及充足的无害测试数据。

    2011年北京某厂产品PIND测试不过关的步调。源于管壳和不合理的超声清洗工艺。

    2、限用有机集中材料。

    降解产生有害气体,应力释放;低气压或真空有机集中材料会明晰、放气、膨胀用意器件可靠性。

    3、密封腔体内限用塑封元器件(局部航天工程列为禁用工艺)。

    塑封元器件释放有害气体。

    4、刚性构件限用电维系压接机关(局部航天工程列为禁用机关,国外宇航禁用)。

    温度对压接机关面的接触电阻有较大用意。

    5、限用倒装芯片机关(局部航天工程列为禁用工艺)。

    作为器件展开的趋势,目前为止,最大的题目是没有查验每从来串界面机械强度的门径。

    6、限用梁式引线机关(局部航天工程列为禁用工艺)。

    梁式引线机关的抗机械应力功效差。

    7、限用镍电极陶瓷片式电容器。

    我们对这类产品还不太熟悉,我们还没有大量的可靠性数据积聚。随着技术展开,积聚了大量可靠性数据之后这类产品作为限用也可能会随之撤消。

    8、抗辐照双极器件限用离子注入、干法刻蚀和等离子清洗工艺。

    这种工艺会产生表面微损伤,从而产生微缺陷。


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